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新研究揭示塑料半导体中电荷陷阱的形成机制

August.2
科技日报
  本报讯 (记者陈丹)塑料半导体给低成本、大批量生产电子器件带来了希望,但其有一个重要的缺陷:电流会受到材料中电荷陷阱的影响。据物理学家组织网7月31日(北京时间)报道,荷兰格罗宁根大学和美国佐治亚理工学院的研究团队通过最新研究揭示了隐藏在这些陷阱下的通用机制,并提供了一个理论框架来设计没有陷阱的塑料电子器件。研究结果提前发表于《自然·材料》杂志网络版。
  塑料半导体由有机碳基聚合物制成,其含有一个可调的禁能隙。然而,电子在半导体中迁移时,有很多被卡在了材料中的禁能隙陷阱里,无法转换成光,从而降低了塑料发光二级管的发光效率和塑料太阳能电池的效率。
  但科学家对陷阱所知甚少。“我们已经通过比较9种不同聚合物中的陷阱的性质来着手解决这一难题。”该研究论文首要作者、格罗宁根大学的赫尔曼·尼科莱说,“比较结果显示,所有材料中的陷阱都具有非常相似的能级。”

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